В первом в наступившем году выпуске рубрики «Поговорим о науке» стоит коснуться изобретения учёных из японского университета города Нагоя. Обращает на себя внимание изобретение не только как таковое, но и в связи с тем, что оно сделано в рамках государственно-частного партнёрства по линии «научно-исследовательская лаборатория – бизнес-заказчик». Японские учёные из университета Нагои сотрудничали с корпорацией Asahi Kasei, занимающейся деятельностью в сфере химической промышленности. У компании имеются «дочки» в Германии и США.
В чём же состоит изобретение японских физиков?
Они в своей лаборатории смогли создать первый в мире лазерный диод, излучающий в части спектра “глубокого” ультрафиолета с минимальными энергозатратами.
В японском центре комплексных исследований электроники будущего:
В нашем университете создан лазерный диод, излучающий на данный момент самую короткую в истории подобных исследований длину волны – 271,8 нм – при комнатной температуре с импульсной подачей напряжения.
著名的, что это существенное продвижение вперёд, так как предыдущее достижение по длине волны (336 нм) удалось существенно превзойти и уйти в «глубокий» ультрафиолет.
В университете японской Нагои говорят о том, что с помощью такого лазерного диода удастся продвинуться далеко вперёд в медицине. Речь в первую очередь идёт о возможности лечения сложных кожных заболеваний, включая псориаз.
Почему разработка финансировалась корпорацией из сферы химической промышленности?
事实, что Asahi Kasei нужны суперсовременные газоанализаторы. Эта же корпорация занимается исследованиями в сфере структуры ДНК, 在哪里, 就像声明的那样, помогут именно ультрафиолетовые лазерные диоды.
Разработка заинтересовала и военных. 尤其是, речь зашла о возможности создания газоанализаторов для авиации, в том числе разведывательной. 例如, речь об анализе применения химического оружия на местности.
Также рассматривается возможность перспективных исследований влияния препаратов на конкретных органы человека.
Из материала японских учёных:
Ультрафиолетовый лазерный диод преодолевает несколько проблем, с которыми сталкивались при разработке подобных полупроводниковых приборов. Мы использовали подложку из нитрида алюминия (AlN) высокого качества в качестве основы для создания слоев лазерного диода. Это необходимо, поскольку низкокачественный AlN содержит большое количество дефектов, которые в конечном итоге влияют на эффективность активного слоя лазерного диода при преобразовании электрической энергии в световую энергию.
Немного теории: в лазерных диодах слой «p-типа» и «n-типа» разделён так называемой «квантовой ямой». Когда электрический ток проходит через такой диод, положительно заряженные дырки в слое p-типа и отрицательно заряженные электроны в слое n-типа текут к центру для объединения, высвобождая энергию в форме легких частиц – фотонов.
Японские исследователи спроектировали эту «квантовую яму» так, чтобы она излучала именно глубокий ультрафиолетовый свет. Слои p- и n-типа были изготовлены из нитрида алюминия-галлия (AlGaN). Облицовочные слои (обкладки), также сделанные из AlGaN, были размещены по обе стороны от слоев p- и n-типа. Оболочка под слоем n-типа включает примеси кремния, нанесённого легированием.
В данном случае легирование используется в качестве метода для изменения свойств основного материала. Оболочка над слоем p-типа подверглась распределённому поляризационному легированию – без добавления примесей. Содержание алюминия в облицовке с p-стороны было создано таким образом, чтобы оно было максимальным снизу и уменьшалось постепенно к верхней части. Исследователи полагают, что этот алюминиевый градиент усиливает поток положительно заряженных дырок. Также был добавлен верхний контактный слой, который был изготовлен из AlGaN p-типа, легированного магнием.
Рабочее напряжение системы, которая и позволяет излучать лазерный луч глубокого ультрафиолета, 是 13,8 在. Во всех иных случаях – длина волны начинает расти.
Создание полупроводникового диода, способного генерировать высококогерентные волны в части спектра глубокого ультрафиолета, это ещё и новый шаг по созданию рентгеновского лазера на основе полупроводника с минимальными затратами энергии.
